可實現高可靠、高導電的連接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商，在汽車模組中均或多或少的采用該燒結銀DTS技術，
眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導熱率為370W/(m.K)，遠IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導熱率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整個器件內部Rth(j-c)熱阻之權重，是不言而喻的。
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。可分為功率IC和功率分立器件兩大類，二者集成為功率模塊（包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊）。隨著電力電子模塊的功率密度、工作溫度及其對可靠性的要求越來越高，當前的封裝材料已經達到了應用極限。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，銀，銅表面剪切強度都很大。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法為：Pick & Place；
在能源效率新時代，SiC開始加速滲透電動汽車、光伏儲能、電動車充電樁、PFC/開關電源、軌道交通、變頻器等應用場景，接下來將逐步打開更大的發(fā)展空間。
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