元素硅是一種灰色、易碎、四價的非金屬化學(xué)元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的,僅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比較富的元素。在石英、瑪瑙、隧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅晶片又稱晶圓片,是由硅錠加工而成的,通過的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數(shù)以百萬計的晶體管,被廣泛應(yīng)用于集成電路的制造。

現(xiàn)有晶圓片生產(chǎn)過程中,需要從一道生產(chǎn)工序轉(zhuǎn)移到下一道生產(chǎn)上,現(xiàn)有技術(shù)中依靠人力進(jìn)行傳送,傳送過程的耗費(fèi)人力,且人為傳送力道不能掌握,容易造成破片。為此,我們提供了一種自動晶圓傳片器以解決以上問題。

為了保護(hù)晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會在晶圓上貼敷膠膜，以便更安全的“切單”?！氨趁鏈p薄”過程中，膠膜會貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片，把分離的芯片固定在PCB或定架上過程中，貼會背面的這一膠膜會自動脫落。切割時由于摩擦很大，所以要從各個方向連續(xù)噴灑DI水(去離子水)。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時，切口(刀片厚度:凹槽的寬度)均勻，不得超過劃片槽的寬度。

晶圓切割時，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時，應(yīng)選擇盡可能薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。
頂面碎片，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個合格率問題，當(dāng)切片接近芯片的有源區(qū)域時，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進(jìn)給速度。
背面碎片發(fā)生在晶圓的底面，當(dāng)大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴(kuò)散開并匯合到一起的時候。當(dāng)這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時候，BSC變成一個合格率問題。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不計。另一方面，當(dāng)尺寸大于25um時，可以看作是潛在的受損?？墒牵?0um的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定。
在切片或任何其它磨削過程中，在不超出可接受的切削質(zhì)量參數(shù)時，新一代的切片系統(tǒng)可以自動監(jiān)測施加在刀片上的負(fù)載，或扭矩。對于每一套工藝參數(shù)，都有一個切片質(zhì)量下降和BSC出現(xiàn)的極限扭矩值。切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的相互關(guān)系，和其變量的測量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數(shù)可以實(shí)時調(diào)整，使得不超過招矩極限和獲得大的進(jìn)給速度。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。
UV膜與藍(lán)膜相比，它的粘性剝離度可變性使得其性很大，主要作用為:用于wafer減薄過程中對wafer進(jìn)行固定;water劃切過程中，用于保護(hù)芯片，防止其脫落或崩邊，用于wafer的翻轉(zhuǎn)和運(yùn)輸，防止已經(jīng)劃好的芯片發(fā)生脫落。規(guī)范化使用UV膜和藍(lán)膜的各個參數(shù)，根據(jù)芯片所需要的加工工藝，選擇合適的UV膜或者藍(lán)膜，即可以節(jié)省成本，又可以加進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時資產(chǎn)擁有的成本小。可是，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。

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