TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺?等優(yōu)點，被認為是三維集成的核
術(shù)。 TSV 結(jié)構(gòu)如下圖所示，在硅板上面有加?完成的通孔;在通孔內(nèi)由內(nèi)到外
依次為電鍍銅柱、絕緣層和阻擋層。絕緣層的作用是將硅板和填充的導電 材料
之間進?隔離絕緣，材料通常選用?氧化硅。由于銅原?在 TSV 制 造?藝流
程中可能會穿透?氧化硅絕緣層，導致封裝器件產(chǎn)品性能的下降 甚?失效，?
般用化學穩(wěn)定性較?的?屬材料在電鍍銅和絕緣層之間加? 阻擋層。后是用
于信號導通的電鍍銅。
在三維集成中 TSV 技術(shù)可分為三種類型:在 CMOS ?藝過程之前在硅片 上完成
通孔制作和導電材料填充的是先通孔技術(shù);?中通孔，在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后?種后通孔技術(shù)是在 CMOS ?藝完成后但未
進?減薄處理時制作通孔。終技術(shù)?案的選擇要 根據(jù)不同的?產(chǎn)需求。
在電沉積?藝之前，對 TSV 芯片進?預處理以排除通孔中的
空?并潤濕種?層。，將 TSV 芯片放?吸瓶中并浸?去
離??中。然后，使用?循環(huán)泵將抽吸瓶抽空?負?氛。在
負壓下，通孔中的空?被推?樣品片表面。此外，應用間歇
性超聲振動去除表面?泡，直???泡出現(xiàn)，表明預處理完
成。因此，TSV芯片迅速移動到電鍍槽中并保持靜??夠長
的時間以確保電鍍?nèi)芤涸谕變?nèi)充分擴散。
電鍍銅填充設(shè)備
很多成本模型顯示，TSV填充?藝是整個?藝流程中昂貴的步驟之?。 TSV
的主要成品率損耗之?是未填滿的空洞。電鍍銅?藝作為合適的硅 通孔填充
技術(shù)受到業(yè)內(nèi)的普遍關(guān)注，其關(guān)鍵技術(shù)在于TSV?深寬比(通常 ?于10:1)通孔的
全填充電鍍技術(shù)。
玻璃通孔?密度布線
線路轉(zhuǎn)移(CTT)和光敏介質(zhì)嵌?法，是比較常用的?式。 CTT主要 包括兩個過
程。?是精細RDL線預制，每?RDL層可以在可移動載體上單 制造?層薄導
電層，并在轉(zhuǎn)移到基板上之前測試或檢查細線成品率。精 細線路的形成采用細
線光刻和電解鍍銅的?法，并且以薄銅箔作為鍍層的 種?層
基于玻璃通孔的MEMS封裝
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技術(shù)實現(xiàn)射頻MEMS器件的晶圓級封裝， 采用電
鍍?案實現(xiàn)通孔的完全填充，通過該?案制作的射頻MEMS器件在 20GHz時具
有0.197dB的低插?損耗和20.032dB的?返回損耗。2018年， LAAKSO等創(chuàng)造性
地使用磁輔助組裝的?式來填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封裝中。

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