1999年初，Nichia公司開始商業(yè)化生產(chǎn)用InGaN制作的紫色激光器，其輸出功率為5mw，發(fā)射波長(zhǎng)為400nm，工作壽命超過(guò)10000小時(shí)。近他們又開發(fā)出了室溫下連續(xù)工作功率達(dá)30mw的激光器，波長(zhǎng)為405nm。DVD的光存儲(chǔ)密度與半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)平方成反比，如果DVD使用GaN基短波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器，則其光存儲(chǔ)密度將比當(dāng)前使用GaAs基半導(dǎo)體激光器的同類產(chǎn)品提高4－5倍，因此，寬禁帶GaN半導(dǎo)體技術(shù)還將成為光存儲(chǔ)和處理的主流技術(shù)。

GaN材料由于缺乏合適的體單晶襯底，只有采用異質(zhì)外延技術(shù)。商業(yè)化的半導(dǎo)體絕大多數(shù)是采用體材料，GaN材料是一個(gè)例外，它用異質(zhì)外延材料成功地做成了器件。

氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的導(dǎo)熱性、良好的化學(xué)穩(wěn)定性、強(qiáng)的抗輻射性、高的內(nèi)、外量子效率、高的發(fā)光效率、高的強(qiáng)度和硬度。其耐磨性接近金剛石)。這種特性和特性可以制成率的半導(dǎo)體發(fā)光器件--發(fā)光二極管(即發(fā)光二極管)和激光器(簡(jiǎn)稱LD)。并可擴(kuò)展到白光LED和藍(lán)光LD。耐磨性接近金剛石的特性將有助于開啟觸摸屏、太空載具以及射頻（RF）MEMS等需要高速、高振動(dòng)技術(shù)的新應(yīng)用。

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