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無錫崇安渦輪分子泵回收無錫崇安真空爐回收

更新時(shí)間1:2025-10-06 信息編號:a739iriv8aa819 舉報(bào)維權(quán)
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供應(yīng)商 上海河辰物資回收利用有限公司 店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià) 人民幣 200000.00元每臺
關(guān)鍵詞 真空爐回收
所在地 上海市
王先生
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5年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

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發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時(shí)排出爐內(nèi)的混合氣體,且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長爐。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是提供一種直拉式單晶生長爐,其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器;其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術(shù)方案中,還包括設(shè)于直拉式單晶生長爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導(dǎo)向裝置;該氣流導(dǎo)向裝置為碗形,其包括 設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置底部的中軸孔、設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)的 一對電極孔、 以及設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對的通氣孔;該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔,該爐的 一對電極柱分別穿過所述電極 孔,該爐的排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通,氣流導(dǎo)向裝置的上 端部設(shè)于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。
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設(shè)計(jì)與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中,硅單晶生長的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場,不僅硅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高;如果熱場的溫度分布不是很合理,生長硅單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量,情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業(yè)的前期,一定要根據(jù)生長設(shè)備,配置出合理的熱場,從而保生產(chǎn)出來的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況,其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個(gè)低成本的情況下,利用電腦計(jì)算提供的詳盡資料,用以支持真正的(且昂貴)實(shí)驗(yàn)。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,直拉式單晶爐設(shè)備回類、二手單晶爐設(shè)備、單晶硅爐、整流柜、補(bǔ)償柜回收、電力柜回收、整流柜回收、電源柜回收、高頻電爐、中頻電爐、電爐感應(yīng)爐、單晶爐、單晶硅爐、電力鍋爐、中頻爐回收、高風(fēng)爐回收、井式爐回收、熔鋁爐回收、熔銅爐回收、主要產(chǎn)品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。單晶硅生長爐行業(yè),主要產(chǎn)品有TDR80A-ZJS、TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR8-ZJS、TDR9-ZJS、TDR112A-ZJS。

所屬分類:設(shè)備回收/壓縮分離設(shè)備回收

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