為了保護晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會在晶圓上貼敷膠膜，以便更安全的“切單”?！氨趁鏈p薄”過程中，膠膜會貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片，把分離的芯片固定在PCB或定架上過程中，貼會背面的這一膠膜會自動脫落。切割時由于摩擦很大，所以要從各個方向連續(xù)噴灑DI水(去離子水)。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時，切口(刀片厚度:凹槽的寬度)均勻，不得超過劃片槽的寬度。
切片工序的關(guān)鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測的切片系統(tǒng)中，修整工序是通過一套反復試驗來建立的。在刀片負載受監(jiān)測的系統(tǒng)中，修整的終點是通過測量的力量數(shù)據(jù)來發(fā)現(xiàn)的，它建立佳的修整程序。這個方法有兩個優(yōu)點:不需要來佳的刀片性能，和沒有合格率損失，該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質(zhì)量差。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時資產(chǎn)擁有的成本小。可是，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和對準運算的設(shè)備。
所屬分類：電子產(chǎn)品制造設(shè)備/半導體設(shè)備
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