可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。
可控硅使用的10條要知道的規(guī)則:
1、為了導通閘流管（或雙向可控硅），有門極電流≧IGT ，直至負載電流達到≧IL 。這條件滿足，并按可能遇到的低溫度考慮；
2、要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負載電流 間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的高運行溫度下滿足上述條件；
3、設計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）；
4、為減少雜波吸收，門極連線長度降至低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H 系列低靈敏度雙向可控硅；
5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題，加入一幾mH 的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅；
6、假如雙向可控硅的VDRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：
負載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于電源，并在電源側增加濾波電路；
7、選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以較大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力；
8、若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，負載上串聯(lián)一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通；
9、器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側；
10、為了長期可靠工作，應Rth j-a 足夠低，維持Tj 不Tjmax ,其值相應于可能的較高環(huán)境溫度。
可控硅的特點： 是“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，可控硅就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使可控硅導通，卻不能使它關斷。那么，用什么方法才能使導通的可控硅關斷呢?使導通的可控硅關斷，可以斷開陽極電源(圖中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的小值(稱為維持電流)。如果可控硅陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，可控硅會自行關斷。
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