通過設置設備箱體、卡匣定位結構、檢測機構和推料機構,使得在晶圓片傳送時能夠通過卡匣定位結構對卡匣進行定位，然后再通過檢測機構檢測卡匣內晶圓片的位置，避免晶圓片錯位，后通過推料機構實現(xiàn)卡匣的傳送,整個傳送過程簡單、易操作，實現(xiàn)自動化傳片,且能夠對晶圓片進行檢測避免晶圓片錯位造成傳片損壞。
晶圓切割時，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和對準運算的設備。當用窄跡道切割晶圓時，應選擇盡可能薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76um跡道的刀片推薦厚度應該是20~30um。
刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進行實時檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對加工物進行清洗。半自動劃片機LX3356機臺可作業(yè)8時wafer，含自動光學補償、聚焦及自特征點功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準線補償調整等。可自動檢測切割刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進行實時檢測。
在切片或任何其它磨削過程中，在不超出可接受的切削質量參數(shù)時，新一代的切片系統(tǒng)可以自動監(jiān)測施加在刀片上的負載，或扭矩。對于每一套工藝參數(shù)，都有一個切片質量下降和BSC出現(xiàn)的極限扭矩值。切削質量與刀片基板相互作用力的相互關系，和其變量的測量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數(shù)可以實時調整，使得不超過招矩極限和獲得大的進給速度。
切片工序的關鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測的切片系統(tǒng)中，修整工序是通過一套反復試驗來建立的。在刀片負載受監(jiān)測的系統(tǒng)中，修整的終點是通過測量的力量數(shù)據(jù)來發(fā)現(xiàn)的，它建立佳的修整程序。這個方法有兩個優(yōu)點:不需要來佳的刀片性能，和沒有合格率損失，該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質量差。
以穩(wěn)定的扭矩運轉的系統(tǒng)要求進給率、心軸速度和冷卻劑流量的穩(wěn)定。冷卻劑在刀片上施加阻力，它造成扭力。新一代的切片系統(tǒng)通過控制冷卻劑流量來保持穩(wěn)定的流速和阻力，從而保持冷卻劑扭矩影響穩(wěn)定。當切片機有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時，維持一個穩(wěn)定的扭矩。如果記錄，從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調整的變化、刀片對刀片的變化、刀片情況和操作員錯誤。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認真的刀片選擇和的工藝控制能力。
藍膜由于受其溫度影響乃粘性度會發(fā)生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進行后封裝工藝，而非直接進行倒封裝工藝做Inlay時，可以考慮使用藍膜。
硅圓片切割應用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時資產(chǎn)擁有的成本小。可是，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進給速度增加，切割品質變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內。進給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和對準運算的設備。
所屬分類：電子產(chǎn)品制造設備/半導體設備
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