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原理簡(jiǎn)介，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過(guò)石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對(duì)熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過(guò)冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱(chēng)作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng)；接著，控制籽晶生長(zhǎng)出一段長(zhǎng)為100mm 左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對(duì)籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò)，這個(gè)過(guò)程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過(guò)控制熱場(chǎng)溫度和晶體提升速度，生長(zhǎng)出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時(shí)，再將晶體逐漸縮小而形成一個(gè)尾形錐體，稱(chēng)為收尾工藝。這樣一個(gè)單晶拉制過(guò)程基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。

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大直徑硅單晶的制備與數(shù)值分析\大直徑硅單晶是微電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料,廣泛應(yīng)用于集成電路備件和硅片制造領(lǐng)域,是現(xiàn)今信息社會(huì)的基石。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的報(bào)告,大直徑硅單晶的需求依然旺盛,450mm硅單晶要繼續(xù)開(kāi)發(fā)研究。當(dāng)前主流集成電路設(shè)備用部件急需400mm硅單晶并提出低成本的要求,開(kāi)發(fā)400mm硅單晶和研究晶體制備的工藝過(guò)程,無(wú)疑具有重要的理論意義和現(xiàn)實(shí)需求。同時(shí),開(kāi)發(fā)下一代450mm集成電路用硅晶體、研究外加磁場(chǎng)對(duì)改善晶體質(zhì)量的作用,對(duì)于我國(guó)未來(lái)制造450mm硅片具有重要的戰(zhàn)略意義。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，提拉式單晶爐技術(shù)參數(shù)1、電源電壓：380VAC±5%2、電源頻率：50HZ 3、電源相數(shù)：3相3線(xiàn)制4、變壓器容量：190KVA5、加熱器加熱功率：160KW6、加熱溫度：1600℃7、加熱器加熱電壓：60V8、冷爐極限真空度：＜a9、晶體直徑：￠6〞～￠8〞10、熔料量 ：90Kg11、主爐室尺寸：φ900×1250mm上爐室尺寸：φ900×900mm下?tīng)t室尺寸：φ900×350mm12、翻板閥通徑：φ280mm13、封頭爐蓋高度：410mm14、副爐室尺寸：φ280×250015、籽晶轉(zhuǎn)速范圍：1～40rpm16、籽晶拉速范圍：0.2～8mm/min17、籽晶快速：≥350mm/min18、籽晶在爐內(nèi)有效行程：3500mm19、籽晶在副室內(nèi)有效行程：2100mm20、坩堝升速范圍：0.02～1mm/min21、坩堝快速：≥100mm/min22、坩堝在爐內(nèi)有效行程：400mm23、坩堝轉(zhuǎn)速范圍：1～30rpm24、兩個(gè)電極孔孔距：480mm 25、耗水量：25m3/h26、主機(jī)占地面積：2500x2000mm27、主機(jī)高度：6800mm28、主機(jī)重量：約7500Kg

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