新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應(yīng)用于電動車逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例，導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，
可實現(xiàn)高可靠、高導(dǎo)電的連接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商，在汽車模組中均或多或少的采用該燒結(jié)銀DTS技術(shù)，
目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可通過錫膏量的調(diào)整補正搭接面平整度不佳造成的搭接問題，燒結(jié)銀的搭接技術(shù)對于搭接處的公共平面度要求公差只有20um，對于這種復(fù)雜的折彎成型式技術(shù)是一大挑戰(zhàn)。
眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m.K)，遠IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導(dǎo)熱率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整個器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權(quán)重，是不言而喻的。
GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠?qū)㈦娏﹄娮幽K的使用壽命延長50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。
SHAREX的預(yù)燒結(jié)銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結(jié)合了燒結(jié)銀，銅箔和其他材料的一種復(fù)合材料，由以下四個部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預(yù)涂布AS9385系列燒結(jié)銀；燒結(jié)前可選用臨時固定的膠粘劑；保護膜或者承載物。
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