氮化硅陶瓷在芯片中的應用
用作渦輪葉片、機械密封環(huán)、高溫軸承、高速切削刀具、模具等。機械工業(yè)。冶金工業(yè)中用于熱設備的部件，如坩堝、燃燒器噴嘴和鋁電解槽內(nèi)襯；化學工業(yè)中用于耐腐蝕和耐磨的零件包括球閥、泵體、燃燒器、化油器等。在電子工業(yè)中用作薄膜電容器和高溫絕緣體。在航空航天領域，它被用作雷達天線罩、發(fā)動機等。Si3N4陶瓷作為原子反應堆的支撐體和間隔體，以及原子能工業(yè)中核裂變材料的載體，具有的綜合性能和豐富的資源。Si3N4陶瓷是理想的高溫結構材料，具有廣闊的應用領域和市場。全世界的國家都在為研發(fā)而競爭。可以預見，隨著陶瓷基礎研究和新技術發(fā)展的不斷進步，特別是復雜大塊制備技術的提高，陶瓷將作為性能的工程材料得到廣泛應用。


氮化硅陶瓷物理特性
氮化硅化學式Si3N4白色粉狀晶體;熔點1900℃,密度3.44克/厘米(20℃)。
減小材料的熱膨脹系數(shù),提高材料的熱導率 這種方法主要是為了減小熱震時產(chǎn)生的熱應力前面曾經(jīng)提到,氧化鋯陶瓷材料熱膨脹系數(shù)的大小與穩(wěn)定劑的種類和添加量有一定關系CaO穩(wěn)定氧化鋯 的熱膨脹系數(shù)較大,這可以從空位濃度方面來理解。
氮化硅沒有熔點的。到1850左右就分解了。

氮化硅陶瓷化學特性
氮化硅材料受熔鹽腐蝕主要是因為SiO2保護膜被熔鹽溶解,一般形成硅酸鹽,腐蝕產(chǎn)物在高溫時成液態(tài),氧氣通過液態(tài)硅酸鹽進入基體具有更快的擴散速率,形成的大量SiO2繼續(xù)溶解而且材料腐蝕過程中有氣體溢出,使基體材料與 氧氣接觸,增強了腐蝕力度,材料表面形成蝕坑根據(jù)材料的腐蝕機理。提高材料的抗腐蝕性可以從以下兩個方面考慮: ,增加材料的致密性可以考慮改善材料的制備工藝,如加入添加劑提高材料的致密度有報道研究了添加各種氧化物如Al2O3,Y2O3,MgO的氮化硅材料的腐蝕性,發(fā)現(xiàn)添加劑可增強材料的致密性,但形成的玻璃相使氧氣能通過,增強了材料的氧化但Schlichting發(fā)現(xiàn)在某些情況下,添加Al2O3形成的化合物阻礙了氧氣的擴散,可以降低反應速率 另外在燒結 方法上,熱等靜壓反應燒結氮化硅較反應燒結氮 化硅材料顯示出較好的抗腐蝕性。


氮化硅陶瓷制作工藝流程
制備工藝流程：近些年，液相生成技術性擁有挺大發(fā)展趨勢，該技術性多見持續(xù)開展，對反映物質(zhì)開展簡易的提純及大限度的混和可是，高溫反映易導致器皿原材料的浸蝕此外，制取的粉末狀結晶的晶粒大小不太好，無法夯實科技人員在持續(xù)對該技術性開展改善實踐經(jīng)驗，液相生成有很高的利用率已經(jīng)有多種多樣碳復原及等離子技術方式 制取滲碳體和氫化物粉體設備如：日本國科學研究工作人員用鈦和高純石墨為起止物，選用電孤反射面加溫的碳熱還原法制取出μm規(guī)格的氮化鈦和碳化鈦，因為應用電孤反射爐，反映的加溫時間大大縮短，溫度急劇下降。

燒結工藝流程：氮化硅陶瓷煅燒采用Al2O3、Y2O3、Lu2O3三種金屬氧化物做為煅燒改性劑，選用疑膠注模成形和氛圍維護過熱蒸汽燒結法，取得成功制取了具備高韌性和高孔隙率的多孔結構氮化硅陶瓷原材料文中科學研究了三種煅燒改性劑對多孔結構氮化硅的物理性能、介電氣性能和外部經(jīng)濟構造的危害，及其對氮化硅陶瓷的煅燒積極意義，得出結論Y2O3具備好的煅燒特異性積極意義,其外部經(jīng)濟構造說明βSi3N4桿狀晶體鋼筋搭接構造是使多孔結構氮化硅陶瓷原材料具備不錯物理性能的關鍵緣故。

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