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50年前人們已經(jīng)了解半導體材料可產(chǎn)生光線的基本知識,個商用二極管產(chǎn)生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode(發(fā)光二極管)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料,置于一個有引線的架子上,然后四周用環(huán)氧樹脂密封,起到保護內部芯線的作用,所以LED的抗震性能好。
90年代初,發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發(fā)成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(qū)(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠色區(qū)域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。
GaN芯片發(fā)藍光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹脂薄層,約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收,另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合,可以得到得白光。現(xiàn)在,對于InGaN/YAG白色LED,通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節(jié)熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。
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