產品別名 |
福建太陽能路燈,福建太陽能路燈優(yōu)惠 |
面向地區(qū) |
品牌 |
斯美爾 |
|
加工定制 |
是 |
電壓 |
12v |
功率 |
20w |
材質 |
不銹鋼 |
防護等級 |
IP65 |
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確認一家光電照明公司公司是否具有一定的規(guī)模,的話先要確認它是否有自己的生產場地,江蘇斯美爾光電科技公司廠房面積40000平,接著就是他道路資質方面的,一般來講是否有道路工程資質,以及幾級的道路照明工程幾級資質。江蘇斯美爾光電擁有LED路燈,以及太陽能路燈施工的三級施工資質。再有就是口碑了。這個更不用講,江蘇斯美爾光電13年的營業(yè)運營時間,普通市面上的小公司什么的,真的是比不了。
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國外硅晶片大廠原本的生產重心是生產半導體級的硅晶片,但隨著太陽能光電產業(yè)的蓬展,也在過去幾年內把一些產能移到太陽能電池領域上。在2007年缺料嚴重的時期,生產太陽能電池用的單晶硅片的利潤甚至遠生產半導體級單晶硅片。然而隨著多晶硅原料的不再短缺,單晶硅片的使用熱潮就略為消退。預計全球太陽能硅晶圓產能(單晶及多晶的總和)在2011年可以達到35.8GW,而年增長率比太陽能電池產能的幅度來得小,這可能與硅晶圓擴產的資本支出遠比太陽能電池廠高有關。例如,擴充1MW硅晶圓的產能需花費40萬?50萬美元,但擴充1MW太陽能電池的產能只需25萬~30萬美元。所以在產能相對較小的情況下,硅晶圓仍是太陽能產業(yè)發(fā)展的瓶頸之一。如何生產成本,一直是太陽能電池產業(yè)所面臨的大挑戰(zhàn)。由于CZ單晶硅片的生產成本較高,因此太陽能電池從業(yè)者尋求價格較低廉的多晶硅片來作為原料基板。多晶硅片一般是將熔融的硅鑄造固化而成,因為其制作工藝簡單且高產出率,具有成本較低的優(yōu)勢,所以多晶硅片成為全球太陽能電池市場占有率高(超過50%)的主流。影響多晶硅太陽能電池效率的因素,除了多晶硅片中會引起載子再結合的雜質外,還有多晶硅片內部的晶界及位錯。因此在鑄造多晶硅錠的中,除了鑄造速率的外,微缺陷的控制也是重要的考慮因素。目前,借著對凝固現(xiàn)象理論的了解,以及利用計算機對整個生產的模擬設計,設計出溫度場分布佳化的鑄造爐子,可使得多晶硅錠里的微缺陷及鑄造速率均達到佳化。因此,目前商業(yè)化的鑄造爐子,已經可以生產出高的300kg的多晶硅錠了。多晶硅太陽能電池,由于其具有多晶特性,在切片和加工的技術上,比單晶硅和非晶硅更具困難性,且其能量轉換效率也比單晶硅太陽能電池低。不過,基于其簡單的制作工藝和低廉的成本,在部分低功率的電力應用中,還是大量采用這種類型的多晶硅太陽能電池。鑄造多晶硅錠的另一個優(yōu)點是它可以鑄造出四面體形的硅錠,不像圓柱形的CZ硅單晶棒要先把外徑磨成四面體,這使得材料的損耗比較小。但在切片的中,還是會相當程度的材料損失(切損),為了解決這方面的問題,已有人研發(fā)出生產多晶硅薄板的技術。以下小節(jié)將分別介紹生產多晶桂片的技術。利用鑄造技術來制造多晶硅錠起源于1975年的德國瓦克(Wacker)公司,它是采用澆鑄法來制備太陽能電池用的多晶硅錠(SILSO)。后來也有研究者采用了其他的鑄造技術。例如,美國晶體公司采用了熱交換法(HEM),Solarex公司釆用了結晶法等。鑄造多晶硅錠一般是采用定向凝固的,這樣才不會長出雜亂無序的晶粒,經過定向凝固的控制,則可以長出寬度約數(shù)毫米到數(shù)厘米的柱狀排列晶粒。
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序號 | 品名 | 規(guī)格參數(shù) |
1 | 太陽能組件 | 斯美爾牌太陽能組件,單晶 18.5V120W一塊,轉換率17%以上壽命25年以上 |
2 | 太陽能路燈鋰電池 | 斯美爾牌太陽能鋰電池12V60AH一塊,本公司專利產品,壽命8-10年 |
3 | 太陽能控制器 | 斯美爾牌升壓恒流一體控制器12V 10A,壹只,工業(yè)級芯片,自主專利軟件程序及開發(fā)系統(tǒng),具有光控+時控+恒流,三時段功率可調,可設置晨亮,效率96%,全防水設計,支持自動降功率,設計壽命8年 |
4 | 風機 | 6葉風機,額定功率300W,轉速10M/S |
5 | LED光源 | 斯美爾牌LED燈DC12V30W,大功率1W/粒,140LM/W壽命70000小時以上 普瑞45*45雙芯片,高光效。 |
6 | 燈桿 | 口徑:上口70+下口135,厚度3.0,法蘭260*260*12 Q235鋼材,一次性成型錐度桿,自動埋弧焊接技術,熱鍍鋅噴塑處理,經鹽霧模擬海邊的使用條件,耐腐蝕性強,使用壽命30年(含太陽能板支架不含地籠) |
2400元(稅前價不含運費)
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太陽能路燈中,硅晶片的生命周期則主要受到金屬雜質的影響,金屬雜質含量越高,生命周期越短,能量轉換效率也就越低。除了起始基板本身所存在的金屬雜質外,太陽能電池的高溫制作工藝也有可能引人不必要的金屬污染源。除了在制作工藝中嚴格污染的概率外,在硅晶片上還可以通過導人去瑕疵的技術,來金屬雜質對生命周期的影響。此外,鈍化處理也是能量轉換效率的有效之一。常用的硅晶基板是P型摻雜的,也就是添加硼摻雜物的。當然N型硅太陽能電池新技術,晶也可以用來當基板,只是現(xiàn)有的太陽能電池技術大多是依據(jù)P型硅晶而設計的。使用電阻率較低的硅晶基板,會太陽能電池的串電阻從而能量的損耗。而目前工業(yè)界常用的硅晶基板的電阻率為〇_5~30Q_cm。硅晶基板的厚度也會影響到太陽能電池的效率,圖6.3表示硅薄板的太陽能電池的效率相對于厚度的關系。以一個擴散長度Ud)為20{Vm的太陽能電池來說,大的效率出現(xiàn)在80Mm左右,但對于擴散長度為100Mm的太陽能電池而言,大的效率則出現(xiàn)在5(^in左右。目前工業(yè)界所使用的硅晶基板的厚度為200~25(^m,研發(fā)更薄的硅晶太陽能電池勢必是未來的發(fā)展趨勢,這不僅可以太陽能電池的效率,也可以達到成本的要求。表面粗糙結構化,由于硅具有很高的反射系數(shù),它對太陽光的反射程度在長波長區(qū)域(大約llOOnm)可以高達54%,在短波長區(qū)域(大約400nm)可以達到34%。因此,將硅晶基板表面進行粗糙結構化處理的目的,在于太陽光自表面反射損失的概率,進而電池的效率。所謂粗糙化處理,是將電池的表面蝕刻成金字塔狀或角錐狀,這樣的處理可使得太陽入射光至少要經過兩次以上的表面反射,因此大幅度了直接自表面反射損失掉的太陽光的比例。
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