1：回收IC

收購(gòu)IC各種品牌芯片：內(nèi)存IC，通信IC，手機(jī)IC，BGA芯片，裸片IC，單片機(jī)IC，電腦IC，藍(lán)牙IC，南北橋，顯卡芯片，IC，攝.像頭IC，家電IC，汽車(chē)IC，IC等等IC。（長(zhǎng)期收購(gòu) ALTER，MAXIM美信，TEXAS INSTRUMENTS德州，ATMEL愛(ài)特梅爾，F(xiàn)REESCALE飛思卡爾，NS國(guó)半，ADI，BROADCOM博通，XILINX賽靈思，MICRON,鎂光，NVIDIA，SII精工，TOSHINA東芝，RENESAS瑞薩，NXP，ST，INFINEON英飛凌，SAMSUNG三星，HNNIX現(xiàn)代，INBOND，SPANSION飛索，CYPRESS,REALTEK，HITTITE，MICROCHIP，SUNPLUS，LATTICE，INTERSIL，ON，F(xiàn)AIRCHILD，海思，展訊，昂寶，等等品牌IC芯片電子料。）

2回收內(nèi)存芯片

長(zhǎng)期收購(gòu)內(nèi)存芯片，內(nèi)存顆粒，內(nèi)存條，F(xiàn)LASH芯片，閃存，顯存，CF卡，SD卡，TF卡，MP3/MP4/MP5拆機(jī)FLASH，SSD固態(tài)硬盤(pán)，等等內(nèi)存物料。（回收SAMSUNG三星內(nèi)存芯片，HNNIX現(xiàn)代內(nèi)存芯片，TOSHIBA東芝內(nèi)存芯片，MICRON鎂光內(nèi)存芯片，INTEL英特內(nèi)存芯片，SPANSION飛索內(nèi)存芯片，爾必達(dá)內(nèi)存芯片，INBOND華邦內(nèi)存芯片等等品牌內(nèi)存。）

3回收三極管

長(zhǎng)期收購(gòu)三極管，貼片三極管，可控硅，場(chǎng)效應(yīng)管，MOS管等等物料。(FAIRCHILD仙童，TOSHIBA東芝，ON，ST，INFINEON英飛凌，NS國(guó)半，長(zhǎng)電，IR等等品牌三極管。)

4：回收IGBT模塊

長(zhǎng)期收購(gòu)IGBT模塊（富士，三菱，INFINEON英飛凌，西門(mén)康等等品牌IGBT模塊。

5：回收繼電器

長(zhǎng)期收購(gòu)繼電器（歐姆龍，宏發(fā)，，泰科等等品牌繼電器。

6：回收電容、電感、電阻、磁珠、晶振、濾波器

長(zhǎng)期回收電容，電感，電阻，磁珠，鉭電容，電容，貼片電容，穿心電容等等。（村田，三星，安華高科，TDK電感，三和，X鉭電容，KEMET基美鉭電容，黑金剛，紅寶石，三洋，等等品牌物料）

哪里回收MURATA電容 回收DDR4芯片

隨著4G、移動(dòng)支付、信息安全、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、智能硬件等領(lǐng)域的發(fā)展，

由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱(chēng)為外延平面型。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動(dòng)態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個(gè)互補(bǔ)二極管反向串接以溫度系數(shù)則為2DW型。間接傳動(dòng)的發(fā)電機(jī)組，因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤(pán)直徑之比不符合轉(zhuǎn)之比的要求，使發(fā)電機(jī)長(zhǎng)期處于高轉(zhuǎn)速下運(yùn)行，而整流管也就長(zhǎng)期處于較高的電壓下工作，整流管加速老化，并被過(guò)早地?fù)舸p壞。