深圳GSI鉭鈮礦化驗(yàn)測(cè)試機(jī)構(gòu)"以"行為公正、方法科學(xué)、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、服務(wù)"為質(zhì)量方針，秉承"質(zhì)量，客戶至上"的服務(wù)宗旨，愿以準(zhǔn)確的檢驗(yàn)、公正的、快捷的代理、滿意的咨詢竭誠為各行各業(yè)的顧客提供的質(zhì)量技術(shù)服務(wù)，并不斷豐富服務(wù)內(nèi)容、完善服務(wù)手段、提高服務(wù)質(zhì)量，成為備受客戶信賴的技術(shù)合作伙伴。

深圳集四海鉭鈮礦化驗(yàn)服務(wù)中心擁有的精神和優(yōu)良的設(shè)備與測(cè)試環(huán)境,為您提供既準(zhǔn)確又的檢測(cè)認(rèn)證服務(wù),讓您的產(chǎn)品通過層層關(guān)卡,行銷全世界。

用作超硬質(zhì)材料添加劑，可制備純的五氯化鉭：用于噴涂，增加變壓器、集成線路、二極管的電穩(wěn)定性

一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達(dá)４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構(gòu)變化的原因

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)小（１６ｎｍ左右）；同時(shí)還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(zhǎng)的晶面會(huì)有改變。

氮化鉭貯存
1、通常對(duì)水是不危害的，若無許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。
2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處

氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮?dú)饣虬睔庠?100℃左右直接氮化制得；
2、以金屬鉭和氮?dú)鉃樵现苽涞g，反應(yīng)式如下：2Ta+N2=2TaN。

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

【中文名稱】五氧化二鉭
【英文名稱】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結(jié)構(gòu)或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點(diǎn)（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。