DRAM特點(diǎn)如下： ●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 ●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 ●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 ●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

按照IEEE802.11協(xié)議，無線局域網(wǎng)卡分為媒體訪問控制（MAC）層和物理層（PHY Layer）。在兩者之間，還定義了一個(gè)媒體訪問控制-物理（MAC-PHY）子層（Sublayers）。MAC層提供主機(jī)與物理層之間的接口，并管理外部存儲(chǔ)器，它與無線網(wǎng)卡硬件的NIC單元相對(duì)應(yīng)。

存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡稱內(nèi)存），存儲(chǔ)器又稱外存儲(chǔ)器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，并且不依賴于電來保存信息，但是由機(jī)械部件帶動(dòng)，速度與CPU相比就顯得慢的多。