廣電計(jì)量提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù)，其中針對(duì)半導(dǎo)體?藝，具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?，將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi)，針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件，提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析，空封元器件特殊使用要求。

廣電計(jì)量破壞性物理分析(DPA)測(cè)試適用于集成電路芯片、電子元件、分立器件、機(jī)電類(lèi)器件、線(xiàn)纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲(chǔ)器、AD/DA、總線(xiàn)接?類(lèi)、 通?數(shù)字電路、模擬開(kāi)關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類(lèi)等。

GRGTEST破壞性物理分析(DPA)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
●GJB128A-97半導(dǎo)體分?器件試驗(yàn)方法
●GJB360A-96電子及電?元件試驗(yàn)方法
●GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序
●GJB7243-2011電子元器件篩選技術(shù)要求
●GJB40247A-2006電子元器件破壞性物理分析方法
●QJ10003—2008進(jìn)口元器件篩選指南
●MIL-STD-750D半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法
●MIL-STD-883G微電子器件試驗(yàn)方法和程序

根據(jù)DPA結(jié)果剔除不合格批次，保留合格批次。破壞性物理分析（DPA）是高可靠工程使用的元器件質(zhì)量重要方法之一，主要用于元器件批質(zhì)量的評(píng)價(jià)，也適用于元器件生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量監(jiān)控。 DPA可發(fā)現(xiàn)在常規(guī)篩選檢驗(yàn)中不一定能暴露的問(wèn)題，這些問(wèn)題主要是與產(chǎn)品設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、裝配等工藝相關(guān)的缺陷。由于破壞性物理分析技術(shù)有這樣的技術(shù)特點(diǎn)，因此，對(duì)J用電子元器件開(kāi)展DPA，可以把問(wèn)題暴露于事前，有效防止型號(hào)工程由于電子元器件的潛在質(zhì)量問(wèn)題而導(dǎo)致整體失效。


何時(shí)需開(kāi)展DPA？
1、進(jìn)貨前檢證：?供應(yīng)商提供DPA合格報(bào)告
2、來(lái)料篩選驗(yàn)證：?裝機(jī)前進(jìn)行DPA驗(yàn)證，進(jìn)行內(nèi)部缺陷檢查、可靠性評(píng)估及功能測(cè)試等質(zhì)量復(fù)驗(yàn)
3、超期復(fù)檢：對(duì)貯存期超過(guò)有效貯存期的元器件，在裝機(jī)前應(yīng)進(jìn)行DPA復(fù)檢
廣電計(jì)量破壞物理性分析（DPA測(cè)試）為企業(yè)提供確認(rèn)元器件的設(shè)計(jì)及制造過(guò)程中的偏差和工藝缺陷；提出針對(duì)元器件缺陷的處理意見(jiàn)、建議及有效的改進(jìn)方案；預(yù)防因元器件存在的質(zhì)量問(wèn)題而導(dǎo)致裝機(jī)時(shí)產(chǎn)生的整體失效。

DPA分析是對(duì)潛在缺陷確認(rèn)和潛在危害性分析的過(guò)程，一般是在在元器件經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)、篩選和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)后對(duì)元器件內(nèi)部存在的缺陷進(jìn)行分析，這些缺陷可能會(huì)導(dǎo)致樣品的失效或不穩(wěn)定。與其他分析技術(shù)不同的是，DPA分析是對(duì)元器件進(jìn)行的事前預(yù)計(jì)（而失效分析FA是事后檢查）。在元器件生產(chǎn)過(guò)程中以及生產(chǎn)后到上機(jī)前，廣電計(jì)量DPA分析技術(shù)都可以被廣泛地使用，以檢驗(yàn)元器件是否存在潛在的材料、工藝等方面的缺陷。