③燒結完成后形成SiC-Cu基板納米燒結銀互連層?？梢钥吹?，善仁新材的納米銀燒結互連層是碳化硅功率器件封裝的關鍵結構單元，屬于薄層結構，其厚度范圍一般為20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通過鍍銀、金等燒結工藝提升其互連層的連接強度。

另外，善仁新材研究院發(fā)現(xiàn)：較大面積的互連會導致較差的互連質量，其原因是增加的互連面積阻止了有機成分被燃盡，會導致更高的的孔隙率，針對這種現(xiàn)象，善仁新材提出了兩個解決方案：

燒結納米銀導熱率及孔隙關系
孔隙對于熱傳導性能的影響會很大，善仁新材發(fā)現(xiàn)：納米燒結銀熱流密度分布不均勻，有孔隙的地方會使得周圍的熱流密度變低，并且隨著孔隙率的增加，等效熱導率依次減少?？障堵试降停瑢嵯禂?shù)越高，空隙率越高，導熱系數(shù)越低。