【SIMS測(cè)試】
服務(wù)背景：半導(dǎo)體行業(yè)需監(jiān)控晶圓中ppb級(jí)摻雜元素分布。
檢測(cè)重要性：揭示離子注入濃度剖面，影響晶體管閾值電壓。
檢測(cè)周期：7-10個(gè)工作日（含深度剖析）。

廣電計(jì)量能力：
1、賽默飛二次離子質(zhì)譜，深度分辨率<5nm；
2、檢測(cè)硅片中硼元素梯度分布（檢出限0.1ppb）；

廣電計(jì)量擁有的化學(xué)分析檢測(cè)設(shè)備和的人才隊(duì)伍。能力范圍覆蓋提供有毒有害物質(zhì)檢測(cè)（RoHS、REACH、POPs、VOC，消耗臭氧層物質(zhì)等）、材料成分性能分析、可靠性壽命預(yù)計(jì)、食品接觸材料等多領(lǐng)域測(cè)試、評(píng)估、認(rèn)證及培訓(xùn)服務(wù)。

【TOF-SIMS原位電化學(xué)表征測(cè)試】
TOF-SIMS技術(shù)是什么？TOF-SIMS（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）技術(shù)是一種高分辨率表面成分分析的方法。它通過(guò)將樣本表面轟擊成離子，并利用飛行時(shí)間質(zhì)譜儀測(cè)量這些離子的時(shí)間和質(zhì)量，從而確定樣本的成分及其分布情況。TOF-SIMS技術(shù)不僅可以提供元素分析信息，還可以提供離子組成分析、分子成像等詳細(xì)數(shù)據(jù)。

服務(wù)背景：鋰電池SEI膜形成機(jī)制研究需表面化學(xué)動(dòng)態(tài)分析。
檢測(cè)重要性：實(shí)時(shí)捕捉電極-電解質(zhì)界面副反應(yīng)產(chǎn)物。
檢測(cè)周期：5-7個(gè)工作日.
廣電計(jì)量通過(guò)深入研究負(fù)極表面SEI膜的成分和結(jié)構(gòu)，可以為電池材料的改進(jìn)提供重要參考。此外，TOF-SIMS技術(shù)還可以用于研究電池內(nèi)部的化學(xué)反應(yīng)機(jī)制，優(yōu)化電池的工作溫度、電解液成分等條件，提高電池的性能和壽命。隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，TOF-SIMS有望為電池領(lǐng)域的科學(xué)家們提供更多關(guān)鍵的表面分析信息，推動(dòng)電池技術(shù)的不斷創(chuàng)新。



【同步輻射XRD檢測(cè)】
背景：同步輻射光源亮度比常規(guī)X光高10?倍，1980年代開(kāi)啟材料動(dòng)態(tài)結(jié)構(gòu)研究新紀(jì)元。
重要性：捕捉電池充放電、催化反應(yīng)中的瞬態(tài)相變過(guò)程。
產(chǎn)品類(lèi)型：鋰離子電池正極、燃料電池電解質(zhì)。

廣電計(jì)量可提供一站式同步輻射XRD檢測(cè)-高分辨原位晶體結(jié)構(gòu)演變分析檢測(cè)服務(wù)。

【吡啶紅外測(cè)試】
背景：1960年代Parry發(fā)現(xiàn)吡啶與酸位點(diǎn)特征譜帶關(guān)聯(lián)，成為固體酸催化劑表征金標(biāo)準(zhǔn)。
重要性：調(diào)控催化劑酸性可提升石油裂解選擇性，減少結(jié)焦副反應(yīng)。
產(chǎn)品類(lèi)型：FCC催化劑、ZSM-5分子篩、磺化樹(shù)脂。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：ASTM D7466（酸量計(jì)算）。

廣電計(jì)量能力：
1、Thermo Nicolet iS50 FTIR配備高溫原位池；
2、定量分析B酸/L酸比例（誤差＜5%）；


【導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試】
背景：隨著5G芯片功率密度提升，熱管理材料性能評(píng)估需求爆發(fā)式增長(zhǎng)。
重要性：導(dǎo)熱系數(shù)是散熱器選型的核心參數(shù)，偏差10%可導(dǎo)致器件壽命減半。
產(chǎn)品類(lèi)型：氮化鋁陶瓷、熱界面材料、碳化硅復(fù)合材料。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：ASTM E1461（激光閃射法）、ISO 22007-4（熱流計(jì)法）。

廣電計(jì)量能力：
1、德國(guó)NETZSCH LFA 467 HyperFlash?，溫度范圍-100~1100℃；
2、各向異性材料三維導(dǎo)熱分析；
3、動(dòng)力電池包導(dǎo)熱膠測(cè)試精度±3%。

【熱膨脹檢測(cè)】
服務(wù)背景：航天復(fù)合材料需嚴(yán)格匹配熱膨脹系數(shù)(CTE)，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致結(jié)構(gòu)開(kāi)裂。
檢測(cè)重要性：CTE是光學(xué)器件、半導(dǎo)體封裝選材的核心參數(shù)。
檢測(cè)周期：5-7個(gè)工作日。
廣電計(jì)量能力：
1、配備溫膨脹儀
2、精度±0.05μm，檢測(cè)氮化硅陶瓷CTE=2.6×10??/K（25-800℃）；
3、符合ASTM E831標(biāo)準(zhǔn)。