Gemini 3 型鏡筒介紹
Gemini 3 型鏡筒是專(zhuān)為表面靈敏成像領(lǐng)域 的苛刻任務(wù)而設(shè)計(jì)，它確保成像在 1 kV 至 30 kV 的所有工作條件下都能達(dá)到高分 辨率。它由兩個(gè)協(xié)同工作的組件組成，即 Nano-twin 物鏡和智能自動(dòng)光路調(diào)節(jié)—— 它 們組成一個(gè)全新的電子光學(xué)引擎。 BSE 的優(yōu) 勢(shì)也可以為您提供良好的圖像襯度，讓您可 以從樣品中提取出盡可能多的信息。

Nano-twin 物鏡
Nano-twin 物鏡是一種在低加速電壓條件下 工作的電鏡( EM ) 物鏡。通過(guò)優(yōu)化幾何結(jié) 構(gòu)和靜電場(chǎng)及磁場(chǎng)分布， 獲得出色的信號(hào) 探測(cè)效率， 從而可以在低電壓下達(dá)到亞納 米級(jí)分辨率。具體來(lái)說(shuō)， 與標(biāo)準(zhǔn)的 Gemini 物鏡相比，它在低電壓下的像差降低了 3 倍。這使得樣品上的磁場(chǎng)降低了 3 倍， 約 為 1mT ，并能夠進(jìn)行 1kV 以下亞納米成像， 而無(wú)需將樣品浸沒(méi)在電磁場(chǎng)中。

全套探測(cè)系統(tǒng)： 根據(jù)出射能量和出射角選 擇性地探測(cè)樣品的電子
GeminiSEM 系列的全套探測(cè)系統(tǒng)有大量不同 的探測(cè)器可供選配。通過(guò)組合 EsB (能量選 擇背散射) 探測(cè)器、 Inlens 二次電子探測(cè)器 及 AsB (角度選擇背散射) 探測(cè)器獲取樣品 材料、表面形貌或結(jié)晶度的信息。入射電子 與樣品作用后可產(chǎn)生二次電子( SE ) 和背散 射電子( BSE )。從納米級(jí)樣品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次電子可用來(lái)表征樣 品的表面形貌。這些二次電子可通過(guò)特設(shè) 計(jì)的電子束推進(jìn)器向后加速進(jìn)入鏡筒，并經(jīng) Gemini 物鏡投射到環(huán)形 Inlens 二次電子探測(cè) 器里。 GeminiSEM 可根據(jù)樣品的表面條件在 寬角度范圍內(nèi)探測(cè)二次電子。

背散射電子產(chǎn)生于樣品表面之下，可提供 樣品材質(zhì)成分的襯度信息。背散射電子通 常以與入射電子束成 15 度角的圓錐狀出 射， 被 Gemini 鏡筒電子束推進(jìn)器吸入后射 到鏡筒內(nèi)。由于二次電子( SE ) 與背散射 電子( BSE ) 具有不同的能量，它們會(huì)在電 子束推進(jìn)器內(nèi)產(chǎn)生不同軌跡。

大部分的背 散射電子能夠穿過(guò) Inlens SE 探測(cè)器，并被 EsB 探測(cè)器收集。此外， Inlens EsB 探測(cè)器 還可有選擇地收集不同能量的背散射電子。 如果出射角大于 15 度， 則 BSE 無(wú)法進(jìn)入鏡 筒，但會(huì)被 AsB (角度選擇背散射) 或可 抽插式 aBSD 探測(cè)器探測(cè)到。aBSD 探測(cè)器 能夠提供樣品的成分襯度、形貌和 3D 表面 信息。樣品室背散射電子探測(cè)器( BSD )和 掃描透射電子探測(cè)器可以在低加速電壓下 擁有更率，且能實(shí)現(xiàn)超速成像。

維修、維護(hù)及優(yōu)化
確保顯微鏡的正常工作時(shí)間。蔡司的維保服務(wù)協(xié)議可讓您的運(yùn)行成本更經(jīng)濟(jì)，避免因停機(jī)而 造成的損失，并通過(guò)提升系統(tǒng)性能達(dá)到理想的工作狀態(tài)。維保服務(wù)協(xié)議可為您提供一系列的 可選服務(wù)種類(lèi)以及不同級(jí)別的服務(wù)。在選擇維保服務(wù)方案上我們會(huì)給予全力支持，以求滿(mǎn)足 您的系統(tǒng)需求與使用要求，同時(shí)遵守您單位的規(guī)定。