隨機存取存儲器（RAM）既可向單元存入信息又可從單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電后均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。

DRAM特點如下：
●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 [8]
●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時給柵極電容補充電荷的操作。 [8]
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。 [8]
●優(yōu)點： 集成度遠SRAM、功耗低，價格也低。 [8]
●缺點：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。 [8]
盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

按照IEEE802.11協(xié)議，無線局域網(wǎng)卡分為媒體訪問控制（MAC）層和物理層（PHY Layer）。在兩者之間，還定義了一個媒體訪問控制-物理（MAC-PHY）子層（Sublayers）。MAC層提供主機與物理層之間的接口，并管理外部存儲器，它與無線網(wǎng)卡硬件的NIC單元相對應(yīng)。