DRAM特點(diǎn)如下： ●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 ●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 ●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

網(wǎng)卡以前是作為擴(kuò)展卡插到計(jì)算機(jī)總線(xiàn)上的，但是由于其價(jià)格低廉而且以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)普遍存在，大部分新的計(jì)算機(jī)都在主板上集成了網(wǎng)絡(luò)接口。這些主板或是在主板芯片中集成了以太網(wǎng)的功能，或是使用一塊通過(guò)PCI (或者更新的PCI-Express總線(xiàn))連接到主板上的廉價(jià)網(wǎng)卡。除非需要多接口或者使用其它種類(lèi)的網(wǎng)絡(luò)，否則不再需要一塊立的網(wǎng)卡。甚至更新的主板可能含有內(nèi)置的雙網(wǎng)絡(luò)（以太網(wǎng)）接口。

在安裝網(wǎng)卡時(shí)將管理網(wǎng)卡的設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序安裝在計(jì)算機(jī)的操作系統(tǒng)中。這個(gè)驅(qū)動(dòng)程序以后就會(huì)告訴網(wǎng)卡，應(yīng)當(dāng)從存儲(chǔ)器的什么位置上將局域網(wǎng)傳送過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)塊存儲(chǔ)下來(lái)。網(wǎng)卡還要能夠?qū)崿F(xiàn)以太網(wǎng)協(xié)議。

按照IEEE802.11協(xié)議，無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)卡分為媒體訪(fǎng)問(wèn)控制（MAC）層和物理層（PHY Layer）。在兩者之間，還定義了一個(gè)媒體訪(fǎng)問(wèn)控制-物理（MAC-PHY）子層（Sublayers）。MAC層提供主機(jī)與物理層之間的接口，并管理外部存儲(chǔ)器，它與無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡硬件的NIC單元相對(duì)應(yīng)。

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě)，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠(chǎng)商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

存儲(chǔ)器的種類(lèi)很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱(chēng)內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存），存儲(chǔ)器又稱(chēng)外存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤(pán)，像硬盤(pán)，軟盤(pán)，磁帶，CD等，能長(zhǎng)期保存信息，并且不依賴(lài)于電來(lái)保存信息，但是由機(jī)械部件帶動(dòng)，速度與CPU相比就顯得慢的多。