通過設(shè)置設(shè)備箱體、卡匣定位結(jié)構(gòu)、檢測機構(gòu)和推料機構(gòu),使得在晶圓片傳送時能夠通過卡匣定位結(jié)構(gòu)對卡匣進(jìn)行定位，然后再通過檢測機構(gòu)檢測卡匣內(nèi)晶圓片的位置，避免晶圓片錯位，后通過推料機構(gòu)實現(xiàn)卡匣的傳送,整個傳送過程簡單、易操作，實現(xiàn)自動化傳片,且能夠?qū)A片進(jìn)行檢測避免晶圓片錯位造成傳片損壞。

為了保護晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會在晶圓上貼敷膠膜，以便更安全的“切單”?！氨趁鏈p薄”過程中，膠膜會貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片，把分離的芯片固定在PCB或定架上過程中，貼會背面的這一膠膜會自動脫落。切割時由于摩擦很大，所以要從各個方向連續(xù)噴灑DI水(去離子水)。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時，切口(刀片厚度:凹槽的寬度)均勻，不得超過劃片槽的寬度。

很長一段時間，鋸切一直是被廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其大的優(yōu)點就是可以在短時間內(nèi)切割大量的晶圓。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會變大。因此，應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。

晶圓切割時，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時，應(yīng)選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。
以穩(wěn)定的扭矩運轉(zhuǎn)的系統(tǒng)要求進(jìn)給率、心軸速度和冷卻劑流量的穩(wěn)定。冷卻劑在刀片上施加阻力，它造成扭力。新一代的切片系統(tǒng)通過控制冷卻劑流量來保持穩(wěn)定的流速和阻力，從而保持冷卻劑扭矩影響穩(wěn)定。當(dāng)切片機有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時，維持一個穩(wěn)定的扭矩。如果記錄，從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調(diào)整的變化、刀片對刀片的變化、刀片情況和操作員錯誤。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。
通常來說，對于小芯片減薄劃片時使用UV膜，對于大芯片減薄劃片時使用藍(lán)膜，因為，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切實之后，直接上倒封裝標(biāo)簽生產(chǎn)線，那么好使用UV膜，因為倒封裝生產(chǎn)線的芯片一般比較小，而且設(shè)備的頂針在藍(lán)膜底部將芯片頂起。如果使用較大粘性剝離度的藍(lán)膜，可能使得頂針在頂起芯片的過程中將芯片頂碎。
藍(lán)膜由于受其溫度影響乃粘性度會發(fā)生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進(jìn)行后封裝工藝，而非直接進(jìn)行倒封裝工藝做Inlay時，可以考慮使用藍(lán)膜。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時資產(chǎn)擁有的成本小?？墒?，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運算的設(shè)備。